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Qu'est-ce que Croissance épitaxiale latérale (ELO) ?

Méthode de croissance où le cristal croît depuis les ouvertures d'un masque puis s'étend latéralement au-dessus de celui-ci. Les dislocations de la couche inférieure se propagent mal dans la partie située sur le masque, ce qui réduit les dislocations du GaN, etc.

Nom japonais: 横方向エピタキシャル成長(ELO)

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Domaine: Croissance épitaxiale

S'entraîner : questions sur Croissance épitaxiale latérale (ELO)

Comment appelle-t-on la technique, utilisée notamment pour le GaN, qui réduit les dislocations en faisant croître le cristal à partir des ouvertures d'un masque puis latéralement au-dessus du masque ?

  1. AÉpitaxie latérale (ELO)
  2. BALD
  3. CCMP
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Réponse : A. Épitaxie latérale (ELO)

En ELO, des ouvertures en bandes sont pratiquées dans un masque de SiO2 ou analogue ; le cristal qui croît à partir de ces ouvertures s'étend latéralement au-dessus du masque et coalesce. Les dislocations se propageant vers le haut depuis le substrat étant bloquées par le masque, la densité de dislocations au-dessus du masque peut être réduite de plusieurs ordres de grandeur. Utilisée à la fin des années 1990 pour allonger fortement la durée de vie des lasers bleu-violet à base de GaN, elle a donné lieu à des variantes sans masque.

« Croissance épitaxiale latérale (ELO) » dans les explications

Questions mentionnant « Croissance épitaxiale latérale (ELO) » (1)

  1. Comment appelle-t-on la technique, utilisée notamment pour le GaN, qui réduit les dislocations en faisant croître le cristal à partir des ouvertures d'un masque puis latéralement au-dessus du masque ?

Termes associés

GaN (nitrure de gallium) 4H-SiC Autodopage Croissance épitaxiale Croissance par avancée de marches (step-flow) Désaccord de maille Dislocation de désaccord (misfit dislocation) Dislocation traversante Épaisseur critique Épitaxie sélective

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