Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welches Beispiel für typische mit ALD abgeschiedene Materialien ist richtig?

  1. ADicke Kupferleitbahnen
  2. BFotolack
  3. CHigh-k-Schichten wie Hafniumoxid und Titannitrid
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Antwort: C. High-k-Schichten wie Hafniumoxid und Titannitrid

Da sich mit ALD die Schichtdicke atomlagengenau steuern lässt und die Kantenbedeckung hervorragend ist, wird sie für Anwendungen eingesetzt, die dünne, gleichmäßige Schichten erfordern: Hafniumoxid als High-k-Gateisolator, Titannitrid für Metallgates und Barriereschichten, Zirkoniumoxid für DRAM-Kondensatoren, Schichten im Bereich der Ladungsfallenschicht von 3D NAND und Abstandshalter für Multi-Patterning. In modernen Logik- und Speicherbauelementen nimmt der Anteil der ALD an den Abscheideprozessen weiter zu.

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