Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Welk voorbeeld van materialen die kenmerkend met ALD worden afgezet is juist?

  1. ADikke koperbedrading
  2. BFotoresist
  3. CHafniumoxide en titaniumnitride en dergelijke als High-k-lagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Hafniumoxide en titaniumnitride en dergelijke als High-k-lagen

Met ALD kan de laagdikte per atoomlaag worden geregeld en is de stapdekking uitstekend, zodat het wordt gebruikt voor toepassingen die dunne, gelijkmatige lagen vereisen: hafniumoxide als High-k-gate-isolator, titaniumnitride voor metaalgates en barrièrelagen, zirkoniumoxide voor DRAM-condensatoren, lagen rond de ladingopslaglaag van 3D NAND en spacers voor multipatterning. In geavanceerde logica en geheugens neemt het aandeel van ALD in de depositiestappen voortdurend toe.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Wat is het belangrijkste doel van de sputtermethode waarbij gesputterde atomen worden geïoniseerd en door een op de wafer aangelegde bias loodrecht worden aangetrokken?
  2. Welk mechanisme in depositie- en etsapparatuur zet de wafer met elektrostatische kracht vast op een tafel?
  3. Welke combinatie van brongassen wordt gebruikt voor het afzetten van siliciumnitride (Si3N4) met thermische CVD?
  4. Hoe heet de methode waarbij een titaniumtarget in een stikstofhoudend gas wordt gesputterd om een titaniumnitridelaag (TiN) te vormen?
  5. Wat is een voordeel van plasma-ALD (PEALD)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp