MOSFET
對MOSFET的閘極-源極間施加遠超過額定的電壓時，可能發生下列何種損壞？
- A閘極絕緣膜的絕緣崩潰
- B電致遷移
- C軟錯誤
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正確答案：A. 閘極絕緣膜的絕緣崩潰
先進產品的閘極絕緣膜厚度僅數nm，非常薄，SiO2的絕緣崩潰電場約為10 MV/cm，因此2 nm的話計算上數V就會損壞。一旦損壞，閘極與通道之間會短路，電晶體便無法使用。靜電（數kV）也很容易造成，因此IC的輸入輸出會加入ESD保護電路，功率MOSFET的閘極耐壓也約為±20 V。即使在額定內，長時間施加電壓而劣化的TDDB也是可靠度上的課題。