什麼是NAND 型快閃記憶體

記憶單元以串聯方式連接的非揮發性記憶體。容易高密度、大容量化,用於 SSD 與記憶卡。

日文名稱: NAND型フラッシュメモリ

「NAND 型快閃記憶體」出現在1領域的5道練習題中(SRAM與快閃記憶體等)。

NAND快閃記憶體的單元串列(string) 選擇 WL0 WL1 WL2 WL3 選擇 接位元線 接源極線 記憶單元串聯連接 NAND型:接點少、高度積體化;以分頁為單位讀取 NOR型:單元並聯,可逐一直接讀取,但面積較大
NAND快閃記憶體的單元串列(string) · 在圖解集中查看

這個名詞所屬的領域: SRAM與快閃記憶體

練習NAND 型快閃記憶體的題目

與 NOR 型相比,NAND 型快閃記憶體的特徵,下列何者正確?

  1. A隨機存取快,適合直接執行程式碼
  2. B記憶單元串聯連接,容易高密度化,適合大容量儲存
  3. C是斷電後資料就會消失的揮發性記憶體
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正確答案:B. 記憶單元串聯連接,容易高密度化,適合大容量儲存

NAND 型將數十個記憶單元串聯,省去每個單元的接點,因此每位元面積小,適合大容量化,用於 SSD 與記憶卡。相對地,讀取要經過串聯的單元,速度較慢,且以頁為單位存取。NOR 型的各單元並聯至位元線,隨機讀取快,適合直接執行程式碼。兩者都是非揮發性。

NAND 型快閃記憶體抹除資料的單位,下列何者正確?

  1. A位元單位
  2. B區塊單位
  3. C位元組單位
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正確答案:B. 區塊單位

NAND 的讀取、寫入以頁(約 16 KB)為單位,但抹除只能以集合數百頁的區塊(數 MB~數十 MB)為單位進行。抹除是對整個井施加高電壓,一次性拔出電子,因此是這個單位。即使只想改寫一部分也無法覆寫,而是把新資料寫到空白頁、將舊頁設為無效,之後再以垃圾回收統一抹除。

出現「NAND 型快閃記憶體」的題目(5題)

  1. 與 NOR 型相比,NAND 型快閃記憶體的特徵,下列何者正確?
  2. NAND 型快閃記憶體抹除資料的單位,下列何者正確?
  3. NAND 型快閃記憶體寫入(程式化)時,主要使用的電子注入方式為何?
  4. 在 NAND 型快閃記憶體中,要對已寫入資料的頁寫入新資料,必須做什麼?
  5. NAND 型快閃記憶體中,讀取與寫入(程式化)資料的基本單位為何?

出現這個名詞的比較

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