什麼是更新(Refresh)

在 DRAM 電容的電荷因漏電而消失之前，定期讀出資料並重新寫入的動作。

日文名稱: リフレッシュ

「更新(Refresh)」出現在3領域的8道練習題中（SRAM與快閃記憶體, 邏輯電路, CPU與架構等）。

這個名詞所屬的領域: DRAM

練習更新(Refresh)的題目

查看答案與解析

正確答案：B. 時序的設計與驗證較容易

在同步式電路中，資料在時脈邊緣同時更新，因此只要確認正反器之間的延遲是否在時脈週期內（設置），以及是否太快（保持），就能正確動作。這項驗證可由靜態時序分析（STA）周全地涵蓋所有路徑，因此即使是數十億個電晶體的電路也能設計。非同步式有省電的優點，但設計與驗證困難，用途有限。

查看答案與解析

正確答案：C. 時脈有效邊緣之後，資料輸入也必須保持不變的時間

保持時間是時脈邊緣之後，資料必須保持穩定的最短時間。若從前一級正反器到下一級的路徑太短，在同一個邊緣更新的新資料會太早到達下一級而違規。由於與週期無關，放慢時脈也無法改善，對策是在資料路徑插入緩衝器以增加延遲。若在製造後才發現，晶片就無法使用，因此設計時的驗證很重要。

在同步式電路中，資料在時脈邊緣同時更新，因此只要確認正反器之間的延遲是否在時脈週期內（設置），以及是否太快（保持），就能正確動作。
所有正反器以共同時脈動作的同步式電路，其優點下列哪一項正確？
若從前一級正反器到下一級的路徑太短，在同一個邊緣更新的新資料會太早到達下一級而違規。
下列哪一項是對正反器保持時間的正確說明？
由於以正回授維持狀態，只要電源開啟就不需要更新。
下列關於一般 6 電晶體型 SRAM 單元的組成，何者正確？
SRAM 以閂鎖電路的正回授保存資料，因此只要電源開啟就不需要更新，但因為是揮發性，斷電後資料會消失。
關於 SRAM 的性質，下列何者正確？
斷電後內容仍保留，出貨後也能更新韌體。
為了儲存微控制器的程式，而一直與邏輯電路混載在同一晶片上的非揮發性記憶體是下列何者？

DRAM 與 SRAM 的差異：結構、速度、成本、用途比較從單元結構、更新、速度、積體度、成本、耗電量與用途等面向，以表格比較 DRAM 與 SRAM，並說明各自適用的時機。