先進電晶體（FinFET與GAA）
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體被研究作為未來 nMOS 通道材料，其主要原因為何？
- A因為可比矽更便宜地製造
- B因為電子遷移率遠大於矽
- C因為能隙比矽大，漏電較少
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正確答案：B. 因為電子遷移率遠大於矽
InGaAs 等 III-V 族化合物半導體的電子遷移率為矽的數倍以上，一直被期待即使在低電壓下也能流過大電流。然而，在矽基板上晶體成長的缺陷、難以形成良好的閘極絕緣膜界面、態密度小而實際電荷不易增加、電洞遷移率低、成本等課題，使其尚未用於邏輯的量產。
- A. 化合物半導體的製造成本往往比矽高。
- B. 正確。原因在於電子遷移率非常大。
- C. InGaAs 的能隙比矽小，漏電有增加的傾向。