先進電晶體（FinFET與GAA）
下列關於閘極後製（置換金屬閘極，Replacement Metal Gate）製程的說明，何者正確？
- A先製作金屬閘極，之後再進行所有高溫製程
- B先以虛設閘極形成電晶體，高溫製程之後再移除虛設閘極，置換為金屬閘極
- C製作不使用閘極的電晶體
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正確答案：B. 先以虛設閘極形成電晶體，高溫製程之後再移除虛設閘極，置換為金屬閘極
源極、汲極的活化退火（1000 ℃ 左右）等高溫製程，有可能改變 High-k 膜或金屬閘極的功函數。在閘極後製中，先以多晶矽虛設閘極完成高溫製程，將層間膜研磨平坦使虛設閘極露出後再移除，於形成的溝槽中填入 High-k 膜與金屬閘極。Intel 於 45 nm 世代採用，是目前的主流。