將含有大量雜質的多晶矽（polysilicon）熱氧化時，下列特徵何者正確？

正確答案：B. 受晶界與高濃度雜質的影響，多半比單晶氧化得更快，氧化層的品質也容易較差

多晶矽的晶粒方向雜亂且晶界很多，若再含有高濃度的磷等，氧化會比單晶更快。氧化沿著晶界進行，介面容易變得凹凸不平，電場集中在凸部，因此其上的氧化層在耐壓等品質上，往往比單晶的熱氧化層差。為了避免這個問題，快閃記憶體浮動閘極上方的絕緣膜一直使用 ONO 膜。

• A. 多晶矽也會被氧化。
• B. 正確。容易氧化得較快，膜的品質也容易較差。
• C. 受晶界與雜質影響，氧化速率與單晶不同。