DRAM

下列何者是一般DRAM的1位元記憶單元的正確結構?

  1. A1個電晶體與1個電容
  2. B6個電晶體
  3. C具有浮動閘極的1個電晶體
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正確答案:A. 1個電晶體與1個電容

DRAM的單元由1個電晶體與1個電容(1T1C)構成,依電容中有無電荷來記憶1位元。電容約為10 fF左右,非常小,僅憑數萬個電子的差異來區分0與1。由於元件數量少,單元面積小至約6F²,適合大容量化。6個電晶體是SRAM,具有浮動閘極的電晶體則是快閃記憶體的單元結構。

DRAM記憶單元(1T1C) 位元線(BL) 字元線(WL) 電晶體 電容 以有無電荷記憶1位元
DRAM記憶單元(1T1C) · 在圖解集中查看
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