為了確保DRAM單元的電容容量，一直以來使用的立體結構組合，下列何者正確？

正確答案：B. 溝槽式與堆疊式

為了在單元縮小後仍確保約10 fF左右的電容，DRAM一直將電容立體化。有在基板上挖深溝的溝槽式（trench），以及在電晶體上方堆疊高聳圓柱的堆疊式（stack），目前以堆疊式為主流。先進產品的電容直徑為數十nm，高度卻超過1 µm，深寬比高達數十，並以支撐膜加固以免倒塌。浮動閘極與電荷捕捉是快閃記憶體的結構。