測試與檢查
除了將邏輯輸出與期望值比較的測試之外，再進行IDDQ測試的優點，下列何者正確？
- A也能找出像配線之間短路（橋接）這類靜止時電流增加、但邏輯輸出恰好正確的缺陷
- B能在實際動作頻率下找出訊號傳遞延遲過大的不良
- C完全不需準備測試圖樣，就能找出所有缺陷
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正確答案：A. 也能找出像配線之間短路（橋接）這類靜止時電流增加、但邏輯輸出恰好正確的缺陷
正常的CMOS電路在靜止狀態時，pMOS與nMOS其中一方為關閉，因此從電源流向接地的只有漏電流。若有橋接或閘極氧化層的缺陷，在其兩側被設定為相反的邏輯值時，靜止時的電流會增加；但若邏輯值恰好保持正確，只比較輸出的測試會將其視為良品。IDDQ測試量測此電流來找出缺陷，有時也能捕捉到使用中可能故障的潛在缺陷。不過，隨著微縮化，正常晶片的漏電流變大，越來越難與缺陷造成的增加量區分。
- A. 正確。以電流找出不會出現在輸出的缺陷。
- B. 這是實速測試（延遲故障測試）的作用。IDDQ測試是在靜止狀態下量測電流。
- C. IDDQ測試也需要將電路內部設定為各種狀態的圖樣。