薄膜沉積（CVD與PVD） 濺鍍（sputtering）所進行的薄膜沉積，屬於下列何者？ APVD（物理氣相沉積） BCVD（化學氣相沉積） C熱氧化 查看答案與解析 正確答案：A. PVD（物理氣相沉積） 濺鍍是將氬等電漿中的離子以數百V加速並撞擊靶材，使接受動量而被擊出的原子沉積在晶圓上的方法，不使用化學反應，屬於物理現象，因此歸類為PVD（物理氣相沉積）。用於金屬配線、阻障金屬（Ta、TiN等）、Cu的晶種層、電極等的成膜。CVD是利用原料氣體的化學反應，熱氧化則是矽本身的氧化。