薄膜沉積(CVD與PVD)

主要用來填充Cu配線溝槽的成膜方法為下列何者?

  1. A熱氧化
  2. B電鍍
  3. C離子植入
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正確答案:B. 電鍍

在鑲嵌(damascene)法中,先在溝槽以濺鍍形成數nm~數十nm的阻障層(Ta/TaN等)與Cu晶種層,再以電鍍填入Cu。於電鍍液中加入抑制劑、加速劑、平坦化劑三種添加劑,使Cu從溝槽底部優先成長,以「由下而上填充」的方式無空洞(void)地填滿。電鍍可在常溫、常壓下快速且低成本地形成厚膜,因此是銅配線的主流。

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