薄膜沉積（CVD與PVD）
作為將電漿CVD氮化矽膜的應力從壓縮調整到拉伸的方法，下列何者被使用？
- A成膜後用水清洗
- B改變高頻與低頻RF功率的比例等，調整對薄膜的離子轟擊強度
- C改變晶圓的直徑
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正確答案：B. 改變高頻與低頻RF功率的比例等，調整對薄膜的離子轟擊強度
在電漿CVD中，施加低頻（數百kHz）的RF功率時，重的離子會追隨電場而強烈撞擊薄膜，使薄膜收緊而容易成為壓縮應力。藉由改變高頻（13.56 MHz）與低頻的功率比、氣體組成、溫度等，可將氮化膜的應力從約−3 GPa（壓縮）調整到+1.5 GPa（拉伸）左右。這項性質被利用於對電晶體施加應變的應力襯層膜。
- A. 用水清洗無法調整應力。
- B. 正確。藉RF功率條件調整離子轟擊。
- C. 並非藉晶圓直徑來調整應力。