ひずみシリコンとは
ひずみしりこん
結晶にひずみを加えてバンド構造を変え、キャリアの移動度を高めたシリコン。nMOSには引っ張り、pMOSには圧縮のひずみが有効で、ソース・ドレインのSiGeや窒化膜などで加える。
この用語の分野: エピタキシャル成長
解説の中の「ひずみシリコン」
シリコンの格子定数(0.543 nm)はSiGeより小さいため、緩和したSiGeの上に薄いシリコンを成長させると、原子の間隔がSiGeに合わせて面内に引き伸ばされ、引っ張りひずみが生じます(ひずみシリコン)。
格子定数の大きい緩和したSiGe層の上に、薄いシリコン層をエピタキシャル成長させたとき、シリコン層に生じるひずみはどれ…
「ひずみシリコン」が出てくる問題(1問)
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