ひずみシリコン란?

ひずみしりこん

結晶にひずみを加えてバンド構造を変え、キャリアの移動度を高めたシリコン。nMOSには引っ張り、pMOSには圧縮のひずみが有効で、ソース・ドレインのSiGeや窒化膜などで加える。

일본어 명칭: ひずみシリコン

분야: 에피택셜 성장

관련 용어

4H-SiC 格子不整合 貫通転位 臨界膜厚 選択エピタキシャル成長 積層欠陥 超格子 横方向エピタキシャル成長(ELO) HVPE(ハイドライド気相成長) MBE(分子線エピタキシー)

용어집으로 돌아가기