カルコゲナイドとは
かるこげないど
硫黄、セレン、テルルなどの16族元素を含む化合物。相変化メモリの記録材料(GSTなど)や、ある電圧で急に導通するセレクタ(OTS)に使われる。
この用語の分野: 次世代メモリ
かるこげないど
硫黄、セレン、テルルなどの16族元素を含む化合物。相変化メモリの記録材料(GSTなど)や、ある電圧で急に導通するセレクタ(OTS)に使われる。
この用語の分野: 次世代メモリ
OTS(Ovonic Threshold Switch)は、カルコゲナイド材料でできた素子で、しきい値電圧を超えると数ns以内に急に低抵抗になり、電流を下げると元の高抵抗に戻ります。
クロスポイント型のPCMなどで、記憶素子と直列に置くセレクタとして使われる、ある電圧を超えると急に導通するカルコゲナイ…PCMは、GeSbTeなどのカルコゲナイド材料を電流のジュール熱で加熱・急冷し、低抵抗の結晶状態と高抵抗のアモルファス状態を切り替えます。
相変化メモリ(PCM)の記憶原理として正しいものはどれか。GSTは、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)、テルル(Te)からなるカルコゲナイド材料で、Ge2Sb2Te5が代表的な組成です。
相変化メモリの記録材料として代表的なGSTとはどのような材料か。PCM(相変化メモリ) しきい値電圧 インメモリコンピューティング SOT-MRAM STT-MRAM FeRAM(強誘電体メモリ) MRAM クロスポイント型メモリ 磁気トンネル接合(MTJ) ストレージクラスメモリ