次世代メモリ

相変化メモリ(PCM)で、1つのセルに複数ビットを記憶する(多値化する)方法として正しいものはどれか。

  1. Aセルの色を変える
  2. Bセルの磁化の向きを複数にする
  3. Cセルの中のアモルファス領域の大きさなどを制御して、中間の抵抗値をつくり分ける
答えと解説を見る

正解：C. セルの中のアモルファス領域の大きさなどを制御して、中間の抵抗値をつくり分ける

PCMでは、セル内のアモルファス領域と結晶領域の割合などを制御することで、高抵抗と低抵抗の間の中間的な抵抗値をつくれます。複数の抵抗レベルを区別すれば1セルに複数ビットを記憶できます。ただし、抵抗のドリフトなどがあるため、レベルの安定した読み分けが課題です。

  • A. PCMは電気的な抵抗で記憶し、色を使うものではありません。
  • B. 磁化の向きで記憶するのはMRAMです。
  • C. 正しい。中間の抵抗値をつくり分けます。
この分野を解く 分野ページへ

次世代メモリのほかの問題

  1. 銀や銅などの金属イオンが固体電解質の中を移動して導電パスをつくったり切ったりすることで抵抗を変えるメモリはどれか。
  2. ReRAMの動作方式で「バイポーラ型」と「ユニポーラ型」の違いとして正しいものはどれか。
  3. クロスポイント型のPCMなどで、記憶素子と直列に置くセレクタとして使われる、ある電圧を超えると急に導通するカルコゲナイド材料の素子はどれか。
  4. STT-MRAMで、読み出し電流の大きさに制限が必要になる理由として正しいものはどれか。
  5. 強誘電体の分極の向きによって、薄い強誘電体層を通るトンネル電流の大きさが変わることを利用する素子はどれか。