次世代メモリ

相変化メモリ(PCM)で、セルを低抵抗の結晶状態にする(セットする)ときの加熱のしかたとして正しいものはどれか。

  1. A融点を超えるまで急速に加熱し、すぐに急冷する
  2. B結晶化温度以上、融点未満の温度に比較的長い時間保つ
  3. Cまったく加熱しない
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正解:B. 結晶化温度以上、融点未満の温度に比較的長い時間保つ

セット動作では、アモルファス状態の材料を結晶化温度以上・融点未満の温度に一定時間保ち、原子が整列して結晶化するのを待ちます。融点以上に加熱して急冷すると、原子が乱れたまま固まってアモルファス(高抵抗)になり、これがリセット動作です。

  • A. 融点以上に加熱して急冷するのはリセット(アモルファス化)の方法です。
  • B. 正しい。結晶化温度以上・融点未満に保って結晶化させます。
  • C. 加熱しなければ状態は変わりません。
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