次世代メモリ
相変化メモリ(PCM)で、セルを低抵抗の結晶状態にする(セットする)ときの加熱のしかたとして正しいものはどれか。
- A融点を超えるまで急速に加熱し、すぐに急冷する
- B結晶化温度以上、融点未満の温度に比較的長い時間保つ
- Cまったく加熱しない
答えと解説を見る
正解:B. 結晶化温度以上、融点未満の温度に比較的長い時間保つ
セット動作では、アモルファス状態の材料を結晶化温度以上・融点未満の温度に一定時間保ち、原子が整列して結晶化するのを待ちます。融点以上に加熱して急冷すると、原子が乱れたまま固まってアモルファス(高抵抗)になり、これがリセット動作です。
- A. 融点以上に加熱して急冷するのはリセット(アモルファス化)の方法です。
- B. 正しい。結晶化温度以上・融点未満に保って結晶化させます。
- C. 加熱しなければ状態は変わりません。