次世代メモリ 相変化メモリ(PCM)の記憶原理として正しいものはどれか。 A磁性層の磁化方向の違い Bカルコゲナイド材料の結晶状態とアモルファス状態の抵抗の違い C強誘電体の分極の向き 答えと解説を見る 正解：B. カルコゲナイド材料の結晶状態とアモルファス状態の抵抗の違い PCMは、GeSbTeなどのカルコゲナイド材料を電流によるジュール熱で加熱・急冷し、抵抗の低い結晶状態と抵抗の高いアモルファス状態を切り替えて情報を記憶します。この材料は書き換え型光ディスクにも使われてきました。