什麼是內建電位
PN 接面的空乏層中，即使不從外部施加電壓也存在的電位差。在矽中約為 0.6〜0.8 V，成為阻止載子擴散的位障。
日文名稱: 内蔵電位
這個名詞所屬的領域: PN接面與二極體
相關名詞
空乏層 穿隧二極體(江崎二極體) 逆向恢復時間 接面電容(空乏層電容) 理想因子 累增崩潰 順向偏壓 導電度調變 歐姆接觸 稽納二極體
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