内蔵電位란?
ないぞうでんい
PN接合の空乏層に、外から電圧をかけなくても生じている電位差。シリコンでは0.6〜0.8 V程度で、キャリアの拡散を止める障壁になる。
일본어 명칭: 内蔵電位
분야: PN 접합과 다이오드
관련 용어
空乏層 理想係数 順方向バイアス 逆回復時間 接合容量(空乏層容量) 伝導度変調 拡散容量 オーミック接触 ショットキーバリアダイオード ツェナーダイオード
ないぞうでんい
PN接合の空乏層に、外から電圧をかけなくても生じている電位差。シリコンでは0.6〜0.8 V程度で、キャリアの拡散を止める障壁になる。
일본어 명칭: 内蔵電位
분야: PN 접합과 다이오드
空乏層 理想係数 順方向バイアス 逆回復時間 接合容量(空乏層容量) 伝導度変調 拡散容量 オーミック接触 ショットキーバリアダイオード ツェナーダイオード