MOSFET

MOSFETの相互コンダクタンスgmの定義として正しいものはどれか。

  1. Aゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の割合
  2. Bドレイン電圧をドレイン電流で割った値
  3. Cゲート絶縁膜の容量
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正解：A. ゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の割合

相互コンダクタンスは gm = ΔID / ΔVGS で表され、ゲート電圧の変化がドレイン電流をどれだけ変化させるかを示します。gmが大きいほど増幅回路の利得を大きくでき、トランジスタの性能を表す重要な指標です。

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