MOSFET

MOSFET의 LDD(Lightly Doped Drain) 구조의 목적으로 올바른 것은?

  1. A게이트 전극의 저항을 낮춘다
  2. B드레인 끝의 불순물 농도를 낮춰 전계를 완화하고, 핫 캐리어로 인한 열화를 억제한다
  3. C채널의 이동도를 2배로 만든다
정답과 해설 보기

정답: B. 드레인 끝의 불순물 농도를 낮춰 전계를 완화하고, 핫 캐리어로 인한 열화를 억제한다

드레인 근처에서는 전계가 강해, 높은 에너지를 가진 핫 캐리어가 게이트 절연막에 주입되거나 계면 준위를 만들어 문턱 전압 변화나 전류 저하를 일으킵니다. LDD 구조에서는 게이트 측벽(사이드월)을 이용해 드레인의 채널 쪽에 저농도의 얕은 영역을 만들어 피크 전계를 낮추고 열화를 억제합니다. 현재는 단채널 효과 억제도 겸한 익스텐션(고농도의 얕은 접합)이 주류입니다.

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