p型基板のMOS構造で、ゲートに負の電圧を加えたときの半導体表面の状態として正しいものはどれか。

正解：B. 正孔が集まる蓄積状態

p型基板のMOS構造でゲートに負の電圧を加えると、多数キャリアである正孔が表面に引き寄せられ、蓄積状態になります。正の電圧を加えていくと、正孔が追い払われた空乏状態を経て、さらに大きな電圧で電子が集まる反転状態になります。