에피택셜 성장

SiC 파워 디바이스 제조에서 에피택셜층이 중요한 이유로 올바른 것은?

  1. A내압을 담당하는 드리프트층을 낮은 불순물 농도와 필요한 두께로 정밀하게 형성하기 위해
  2. B웨이퍼를 투명하게 만들기 위해
  3. C배선의 저항을 낮추기 위해
정답과 해설 보기

정답: A. 내압을 담당하는 드리프트층을 낮은 불순물 농도와 필요한 두께로 정밀하게 형성하기 위해

SiC에서는 불순물의 열확산이 거의 일어나지 않으므로 소자의 주요 층을 에피택셜 성장과 이온 주입으로 형성합니다. 1200 V급에서는 드리프트층을 약 10 µm, 10¹⁶ cm⁻³ 정도로 정밀하게 제어해야 하며, 이것이 내압과 온 저항을 직접 결정합니다. 에피층 속의 기저면 전위나 표면 결함은 킬러 결함이나 바이폴라 열화의 원인이 되므로, 결함을 줄이는 것이 수율과 신뢰성의 열쇠입니다.

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