エピタキシャル成長

エピタキシャル層に生じる代表的な結晶欠陥の一つで、原子面の積み重なりの順序が乱れたものはどれか。

  1. Aボイド
  2. Bヒロック
  3. C積層欠陥(スタッキングフォルト)
答えと解説を見る

正解:C. 積層欠陥(スタッキングフォルト)

積層欠陥は、結晶の原子面が積み重なる順序が局所的に乱れた欠陥です。エピタキシャル成長では、基板表面の汚染や傷などを起点として発生することがあります。デバイスのリーク電流などの原因になるため、成長前の表面処理が重要です。

この分野を解く 分野ページへ

エピタキシャル成長のほかの問題

  1. GaNなどで、マスクの開口部から結晶を成長させ、マスクの上を横方向に成長させることで転位を減らす技術を何と呼ぶか。
  2. 溶かした金属の溶液などから、基板の上に結晶を析出させて成長させる方法はどれか。
  3. トリクロロシランを使ったシリコンのエピタキシャル成長の一般的な成長温度に最も近いものはどれか。
  4. 格子定数の大きい緩和したSiGe層の上に、薄いシリコン層をエピタキシャル成長させたとき、シリコン層に生じるひずみはどれか。
  5. エピタキシャルウエハの品質として管理される主な項目はどれか。