エピタキシャル成長 GaNなどで、マスクの開口部から結晶を成長させ、マスクの上を横方向に成長させることで転位を減らす技術を何と呼ぶか。 A横方向エピタキシャル成長(ELO) BALD CCMP 答えと解説を見る 正解：A. 横方向エピタキシャル成長(ELO) ELOでは、マスクの開口部から成長した結晶がマスクの上を横方向に広がって成長します。基板から伸びる転位はマスクでさえぎられるため、マスクの上の領域では転位の少ない結晶が得られます。GaN系レーザーの高性能化などに使われてきました。