박막 증착(CVD와 PVD)

플라즈마 CVD로 성막한 실리콘 질화막의 특징으로 올바른 것은?

  1. A수소를 비교적 많이 포함하며 열 CVD막보다 밀도가 낮아지기 쉽다
  2. B완전한 화학양론 조성(Si3N4)이며 수소를 포함하지 않는다
  3. C금속처럼 전기가 통한다
정답과 해설 보기

정답: A. 수소를 비교적 많이 포함하며 열 CVD막보다 밀도가 낮아지기 쉽다

플라즈마 CVD의 실리콘 질화막은 실란과 암모니아 등을 300~400 ℃의 저온에서 반응시키기 때문에 Si-H나 N-H 형태로 수소를 10~30% 정도 포함하고 조성도 SiNx로 어긋납니다. 그래서 열 CVD막보다 밀도가 낮고 식각 속도가 빨라지기 쉬운 특징이 있습니다. 그래도 수분이나 나트륨을 잘 통과시키지 않고 저온에서 성막할 수 있어, 칩 최상층의 보호막(패시베이션막)이나 구리 배선의 확산 방지막 등에 사용됩니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

박막 증착(CVD와 PVD)의 다른 문제

  1. 좁은 트렌치를 성막으로 채울 때, 트렌치 입구 부근에 막이 두껍게 형성되는 것(오버행)으로 인해 발생하기 쉬운 문제는?
  2. 스퍼터 장비에서 타깃과 웨이퍼 사이에 다수의 구멍이 있는 판(콜리메이터)을 두는 목적은?
  3. 스퍼터링이나 증착 등의 PVD에서 깊은 트렌치의 측벽이나 바닥에 막이 잘 형성되지 않는 주된 이유는?
  4. LPCVD로 폴리실리콘막을 성막하면서 인 등의 불순물을 포함한 가스를 동시에 흘려 도전성 막을 만드는 것을 무엇이라고 합니까?
  5. 콘택트 홀을 텅스텐 CVD로 매립하기 전에 TiN(질화티타늄) 등의 얇은 막을 하지로 형성하는 주된 이유는?

이 분야의 비교