첨단 패키징(3D와 칩렛)

TSV의 일반적인 형성 공정으로 올바른 것은?

  1. A와이어를 통과시켜 연결한다
  2. B솔더를 흘려 넣는 것만으로 형성한다
  3. C딥 식각으로 구멍을 뚫고, 절연막과 배리어층을 형성한 뒤 구리 등으로 매립한다
정답과 해설 보기

정답: C. 딥 식각으로 구멍을 뚫고, 절연막과 배리어층을 형성한 뒤 구리 등으로 매립한다

TSV는 식각과 보호막 증착을 번갈아 반복하는 보쉬 공정 등의 딥 식각으로 실리콘에 종횡비 10 정도의 구멍을 뚫고, 내면에 절연막과 배리어층, 시드층을 형성한 뒤 도금으로 구리 등을 매립하여 만듭니다. 그 후 웨이퍼를 뒷면에서 얇게 갈아 TSV의 끝을 노출시킵니다. 깊은 구멍의 바닥까지 보이드 없이 채우기가 어려운 공정입니다.

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