Tetramethylammoniumhydroxide. Organische base zonder metaalionen, gebruikt als ontwikkelaar voor fotoresist. Let op vergiftiging door opname via de huid.
Japanse benaming: TMAH
“TMAH” komt voor in 4 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Procesmaterialen (gassen, chemicaliën), Milieu en veiligheid, Lithografie.
Vakgebied: Procesmaterialen (gassen, chemicaliën)
Antwoord: C. Om verontreiniging door metaalionen zoals natrium te vermijden
Alkalimetaalionen zoals natrium en kalium worden in een oxidelaag onder invloed van een elektrisch veld mobiele ionen en laten de drempelspanning van transistors variëren. Deze natriumverontreiniging was de belangrijkste oorzaak van de instabiliteit van de eerste MOS-componenten. TMAH is een metaalvrij organisch alkali en geeft dus geen zorgen over zulke verontreiniging. Kleur of prijs zijn geen redenen om het te kiezen, en TMAH is ook niet zeker goedkoper.
Antwoord: B. Omdat het via de huid wordt opgenomen, de werking van zenuwen en spieren verstoort en systemische vergiftiging, zoals ademstilstand, kan veroorzaken
TMAH is een sterk alkali dat niet alleen de huid beschadigt; het via de huid opgenomen tetramethylammoniumion verstoort de signaaloverdracht van zenuw naar spier en kan onder meer ademstilstand veroorzaken. Vooral hooggeconcentreerde oplossingen van circa 25 %, die dicht bij de onverdunde vloeistof liggen, zijn gevaarlijk, meer dan de oplossing van 2,38 % die voor ontwikkelen wordt gebruikt, en in onder meer Taiwan zijn dodelijke ongevallen door contact gemeld. Het dragen van beschermingsmiddelen en onmiddellijk afspoelen en medische hulp zoeken bij contact zijn belangrijk.
TMAH is een metaalvrij organisch alkali en geeft dus geen zorgen over zulke verontreiniging.
Wat is de belangrijkste reden dat als ontwikkelaar voor hal…TMAH is een sterk alkali dat niet alleen de huid beschadigt; het via de huid opgenomen tetramethylammoniumion verstoort de signaaloverdracht van zenuw naar spier en kan onder meer ademstilstand veroorzaken.
Waarom is het hooggeconcentreerde TMAH (tetramethylammonium…Kenmerkend zijn de i-lijn-resist op novolakbasis en chemisch versterkte typen voor KrF en ArF, die met alkalische ontwikkelaar (TMAH-oplossing) worden ontwikkeld.
Welke omschrijving van positieve fotoresist is juist?Voor het ontwikkelen van positieve resist wordt als industriestandaard een waterige oplossing van 2,38 % TMAH (ca.
Welke waterige oplossing wordt gewoonlijk gebruikt voor het…Mobiele ionen Drempelspanning (threshold voltage) Via Contact Positieve fotoresist Fotoresist Arsine (AsH3) Fosfine (PH3) Massaflowcontroller (MFC) NF3 (stikstoftrifluoride)