Fotoresist waarvan het belichte deel bij het ontwikkelen oplost en wordt verwijderd. Resist waarvan het belichte deel juist blijft staan, heet negatieve resist.
Japanse benaming: ポジ型フォトレジスト
“Positieve fotoresist” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Lithografie.
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: B. De belichte delen lossen bij het ontwikkelen op en worden verwijderd
Bij positieve resist worden de belichte delen goed oplosbaar in de ontwikkelaar en bij het ontwikkelen verwijderd, zodat het patroon van de delen die door het masker tegen licht waren afgeschermd, overblijft. Kenmerkend zijn de i-lijn-resist op novolakbasis en chemisch versterkte typen voor KrF en ArF, die met alkalische ontwikkelaar (TMAH-oplossing) worden ontwikkeld. Vanwege de uitstekende resolutie is het nu de hoofdstroom. Bij negatieve resist blijven de belichte delen over, naar hetzelfde idee als negatief en positief in de fotografie.
TMAH Antireflectiecoating (BARC) ArF-excimeerlaser Chemisch versterkte resist (CAR) EUV-belichting Fasenverschuivingsmasker (phase-shift mask) Fotomasker (reticle) Fotoresist High-NA EUV Immersielithografie