Wat is OPC (optical proximity correction)?

Techniek waarbij het maskerpatroon vooraf wordt gecorrigeerd om vervorming van het patroon door onder meer lichtdiffractie te compenseren.

Japanse benaming: OPC(光学近接効果補正)

“OPC (optical proximity correction)” komt voor in 11 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Lithografie, LSI-ontwerpflow en EDA.

Vakgebied: Lithografie

Nu oefenen: vragen over OPC (optical proximity correction)

Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?

  1. AResist dik aanbrengen om de resolutie te verhogen
  2. BHet masker reinigen om vreemde deeltjes te verwijderen
  3. CHet maskerpatroon vooraf corrigeren zodat de afwijking in de vorm na de overdracht klein wordt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het maskerpatroon vooraf corrigeren zodat de afwijking in de vorm na de overdracht klein wordt

Bij patronen dicht bij de resolutiegrens krimpen lijnuiteinden door diffractie en interferentie van licht (line-end pullback), worden hoeken afgerond en verandert de lijnbreedte met de dichtheid van omliggende patronen. Bij OPC wordt deze vervorming met simulatie voorzien en worden aan de randen van het maskerpatroon hulpfiguren zoals hammerheads en serifs toegevoegd of afmetingen fijn bijgesteld. Voor geavanceerde maskers worden voor de OPC-berekening grootschalige computers gebruikt.

“OPC (optical proximity correction)” in de toelichting

Vragen met “OPC (optical proximity correction)” (11)

  1. Welke omschrijving van OPC (optical proximity correction) is juist?
  2. Welk apparaat wordt vooral gebruikt om het patroon van een fotomasker (reticle) te schrijven?
  3. Welke uitspraak over de coëfficiënt k1 in de resolutieformule R = k1 × λ / NA is juist?
  4. Hoe heet het bereik van voorwaarden waarbinnen de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven, ook als belichtingsdosis en focus veranderen?
  5. Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat en het maskerpatroon met een computer gelijktijdig te optimaliseren?
  6. Wat is de juiste hoofdoorzaak van de „flare” die bij EUV-belichting een probleem is?
  7. Hoe heet het verschijnsel bij EUV-maskers waarbij de dikte van het absorberpatroon niet verwaarloosbaar is ten opzichte van de golflengte en schuin invallend licht een schaduw vormt en zo het beeld beïnvloedt?
  8. Hoe heten de zwakke plekken in een ontworpen layout waarvan in de simulatie van belichting en bewerking wordt voorspeld dat patronen gemakkelijk samenvloeien of afbreken?
  9. Welk formaat is kenmerkend voor de layoutgegevens die voor de maskerproductie aan de productiekant worden overgedragen?
  10. Welke standaardmethodiek wordt bij verificatie met SystemVerilog gebruikt om een goed herbruikbare testomgeving (testbench) op te bouwen?
  11. Welke controle bij layoutverificatie onderzoekt elektrische verbindingsfouten, zoals ingangen die zweven (nergens mee verbonden) of kortsluiting tussen voedingen?

Halfgeleider-rekentools

Verwante termen

Procesvenster Numerieke apertuur (NA) Fotomasker (reticle) Dosis GPU EUV-belichting Informatieverlies (absorptie) Tape-out Verilog SPICE

Naar de woordenlijst