Bereik van omstandigheden waarin de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven als belichtingsdosis en focus worden gevarieerd. Hoe breder, hoe robuuster tegen productievariaties.
Japanse benaming: プロセスウィンドウ
“Procesvenster” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Lithografie.
Vakgebied: Lithografie
Antwoord: A. Het is een coëfficiënt voor de moeilijkheid van het proces, met een theoretische ondergrens van 0,25 voor één belichting
k1 is een coëfficiënt voor de totale kracht van resistprestaties, maskerslimheid en belichtingsomstandigheden; hoe kleiner, hoe fijnere patronen kunnen worden opgelost, maar het procesvenster wordt smaller en het wordt moeilijker. De theoretische ondergrens om een periodiek patroon (lijnen en spaties) in één belichting op te lossen is 0,25. In de jaren 90 was het ongeveer 0,6, maar door superresolutietechnieken zoals aangepaste belichting, phase-shift masks en OPC is het ook in massaproductie tot ongeveer 0,27-0,3 verlaagd.
Antwoord: A. Procesvenster (process window)
Het procesvenster is het bereik waarin de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven (bijvoorbeeld ±10% van het doel) ook als belichtingsdosis en focus veranderen, en wordt weergegeven in een diagram (ED-window) met de dosis op de verticale en de focus op de horizontale as. In massaproductie fluctueren dosis en focus door variatie van het apparaat, oneffenheden van de wafer en veranderingen in resistdikte, dus hoe breder het venster, hoe stabieler er kan worden geproduceerd. OPC en optimalisatie van belichtingsomstandigheden worden vooral uitgevoerd om dit te verbreden.
k1 is een coëfficiënt voor de totale kracht van resistprestaties, maskerslimheid en belichtingsomstandigheden; hoe kleiner, hoe fijnere patronen kunnen worden opgelost, maar het procesvenster wordt smaller en het wordt moeilijker.
Welke uitspraak over de coëfficiënt k1 in de resolutieformu…Het procesvenster is het bereik waarin de patroonafmetingen binnen de toegestane marge blijven (bijvoorbeeld ±10% van het doel) ook als belichtingsdosis en focus veranderen, en wordt weergegeven in een diagram (ED-window) met de dosis op de verticale en de focus op de horizontale as.
Hoe heet het bereik van voorwaarden waarbinnen de patroonaf…SMO (Source Mask Optimization) is een techniek die met een computer gezamenlijk de belichtingsvorm van het belichtingsapparaat (de verdeling van de lichtbron in het pupilvlak) en het maskerpatroon, inclusief OPC, optimaliseert om het procesvenster te verbreden.
Welke techniek verhoogt de resolutie door de belichtingsvor…OPC (optical proximity correction) Numerieke apertuur (NA) Dosis GPU Antireflectiecoating (BARC) ArF-excimeerlaser Chemisch versterkte resist (CAR) EUV-belichting Fasenverschuivingsmasker (phase-shift mask) Fotomasker (reticle)