Nederlands
Menu

Etsen

Welke uitspraak over de kenmerken van nat etsen van silicium met een waterige oplossing van kaliumhydroxide (KOH) is juist?

  1. ADe etssnelheid verschilt sterk per kristalvlak en het (111)-vlak etst zeer langzaam, zodat bijvoorbeeld V-vormige sleuven met schuine wanden ontstaan
  2. BHet is isotroop etsen dat op alle kristalvlakken even snel verloopt
  3. CHet lost oxide snel op
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De etssnelheid verschilt sterk per kristalvlak en het (111)-vlak etst zeer langzaam, zodat bijvoorbeeld V-vormige sleuven met schuine wanden ontstaan

Alkalische oplossingen zoals KOH etsen het (111)-vlak van silicium met slechts circa een honderdste van de snelheid van het (100)-vlak. Op (100)-wafers komt daardoor het (111)-vlak bloot te liggen en ontstaan V-vormige sleuven en piramidevormige gaten met een schuine wand van circa 54,7°. Met deze anisotropie die van de kristaloriëntatie afhangt worden onder meer membranen van MEMS-druksensoren, inkjetnozzles en de oppervlaktestructuur (textuur) van zonnecellen gemaakt, die licht invangt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Etsen

  1. Welke uitspraak over de kenmerken van etsapparatuur van het type inductief gekoppeld plasma (ICP) is juist?
  2. Welke maatstaf geeft aan hoe klein de spreiding van de etssnelheid over de wafer is?
  3. Hoe heet het nog gedurende een bepaalde tijd doorgaan met etsen na detectie van het eindpunt, om de film over de hele wafer zeker te verwijderen?
  4. Hoe heet een masker van bijvoorbeeld nitride- of koolstoffilm dat wordt gebruikt wanneer fotoresist alleen niet als masker volstaat, zoals bij het etsen van diepe gaten?
  5. Welke uitspraak over de kenmerken van etsen van het downflow-type, waarbij alleen in het plasma gevormde radicalen aan de wafer worden toegevoerd, is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp