Indication de l'orientation des plans et directions d'un cristal, exprimée par les indices de Miller comme (100). Pour les plaquettes de silicium destinées aux MOSFET, le plan (100) est le plus courant.
Nom japonais: 結晶方位
« Orientation cristalline » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Oxydation et diffusion, Plaquettes de silicium, Gravure.
Domaine: Plaquettes de silicium
Réponse : C. Le plan (111) s’oxyde plus vite que le plan (100)
Dans les mêmes conditions, le plan (111) s’oxyde plus vite que le plan (100), l’écart étant surtout marqué pour les films minces (environ 1.5 fois). C’est parce que la densité atomique de surface est plus élevée et que davantage de liaisons sont disponibles pour la réaction d’oxydation. Dans des structures comme les FinFET, où le dessus et les flancs ont des orientations différentes, l’épaisseur d’oxyde varie selon l’endroit ; on utilise donc l’oxydation radicalaire ou l’ALD, peu sensibles à l’orientation.
L'encoche est une entaille en V d'environ 1 mm de profondeur sur la périphérie du wafer, qui sert de repère d'orientation cristalline (par exemple la direction <110>).
Quel est le rôle principal de l'encoche (notch) pratiquée s…Dans un wafer (100), des fissures rectilignes se croisant à angle droit ont tendance à apparaître le long des plans {110} perpendiculaires à la surface, et leur direction permet d'estimer l'orientation cristalline du wafer.
Selon quel plan cristallin le silicium monocristallin se ca…Peu sensible à l’orientation cristalline, elle oxyde de façon arrondie et uniforme les coins des tranchées STI ; elle sert pour les oxydes de liner, les oxydes de grille et la réoxydation des nitrures.
Quelle méthode forme rapidement un oxyde mince de bonne qua…Cette anisotropie liée à l'orientation cristalline est exploitée pour réaliser les membranes de capteurs de pression MEMS, les buses de jet d'encre ou la texturation de surface des cellules solaires qui piège la lumière.
Quelle est la caractéristique de la gravure humide du silic…Oxydation thermique FinFET ALD Encoche de plaquette (notch) RIE (gravure ionique réactive) Mobilité STI (isolation par tranchées peu profondes) Gravure humide MEMS Coefficient de ségrégation