Well waarin met hoogenergetische ionenimplantatie de onzuiverheidsconcentratie dieper dan het oppervlak hoger is. Houdt de kanaalconcentratie aan het oppervlak laag en onderdrukt tegelijk punch-through en latch-up.
Japanse benaming: レトログレードウェル
“Retrograde well” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: A. Retrograde well
Een retrograde well is een well die door implantatie met hoge energie van enkele honderden keV tot de MeV-klasse een concentratiepiek op grote diepte heeft. Terwijl de concentratie aan het oppervlak laag wordt gehouden, passend bij de transistoreigenschappen, wordt op grote diepte een hoge concentratie gemaakt, waardoor punch-through en latch-up (werking van een parasitaire thyristor) worden onderdrukt. Een voordeel is ook dat de thermische diffusie van meerdere uren bij 1000 °C of hoger, zoals bij conventionele diffusiewells, niet nodig is, waardoor thermisch budget en procestijd sterk afnemen.
Een retrograde well is een well die door implantatie met hoge energie van enkele honderden keV tot de MeV-klasse een concentratiepiek op grote diepte heeft.
Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge…CMOS Ionenimplantatie Punch-through Latch-up Thermische diffusie Channeling Dosis Faradaycup Gloeien (annealing) Halo-implantatie (pocket-implantatie)