Méthode qui implante d'abord du germanium, par exemple, pour amorphiser la surface et limiter la canalisation lors de l'implantation suivante, afin d'obtenir des jonctions peu profondes.
Nom japonais: プリアモルファス化注入(PAI)
« Pré-amorphisation par implantation (PAI) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Implantation ionique.
Domaine: Implantation ionique
Réponse : B. Amorphiser la surface en implantant du Ge, etc., afin de limiter la canalisation lors de l'implantation suivante et d'obtenir une jonction peu profonde
En implantant d'abord des ions lourds comme le germanium ou le silicium pour rendre la surface amorphe sur quelques dizaines de nm, l'ordre atomique disparaît, ce qui limite la canalisation du bore implanté ensuite et permet de réaliser une jonction peu profonde. Lors du recuit, la couche amorphe recristallise par épitaxie en phase solide à partir du cristal sous-jacent, en incorporant les impuretés en sites substitutionnels, ce qui donne aussi une activation élevée. Des défauts EOR peuvent subsister à l'interface.
Canalisation (channeling) Recuit Cage de Faraday Caisson rétrograde (retrograde well) Diffusion accélérée transitoire (TED) Dopage plasma Dose Effet d'ombrage (shadowing) Implantation halo (implantation poche) Implantation ionique