Implantation ionique
Quel est l'objectif de l'implantation de pré-amorphisation (PAI) ?
- AFormer un oxyde épais à la surface du wafer
- BAmorphiser la surface en implantant du Ge, etc., afin de limiter la canalisation lors de l'implantation suivante et d'obtenir une jonction peu profonde
- CÉliminer la contamination métallique
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Réponse : B. Amorphiser la surface en implantant du Ge, etc., afin de limiter la canalisation lors de l'implantation suivante et d'obtenir une jonction peu profonde
En implantant d'abord des ions lourds comme le germanium ou le silicium pour rendre la surface amorphe sur quelques dizaines de nm, l'ordre atomique disparaît, ce qui limite la canalisation du bore implanté ensuite et permet de réaliser une jonction peu profonde. Lors du recuit, la couche amorphe recristallise par épitaxie en phase solide à partir du cristal sous-jacent, en incorporant les impuretés en sites substitutionnels, ce qui donne aussi une activation élevée. Des défauts EOR peuvent subsister à l'interface.