Original d'exposition portant le motif du circuit. Le motif est formé dans un film opaque sur un substrat en verre de quartz (réfléchissant pour l'EUV). Pour les scanners à réduction, il est 4 fois plus grand que sur la plaquette.
Nom japonais: フォトマスク(レチクル)
« Photomasque (réticule) » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Lithographie, Rendement et contrôle qualité, Packaging avancé (3D et chiplets).
Domaine: Lithographie
La fabrication d'un masque part d'un masque vierge (mask blank) : une plaque de quartz très plane et à faible défectivité, de 6 pouces de côté et d'environ 6 mm d'épaisseur, revêtue d'un film absorbant en chrome ou en MoSi et de résine. Un masqueur à faisceau d'électrons écrit directement le motif dans la résine. Les masqueurs à faisceau unique peuvent demander plus de dix heures pour un masque complexe ; les masques avancés comportant une forte correction des effets de proximité optique (OPC) ou des formes curvilignes utilisent donc des masqueurs multifaisceaux dotés de centaines de milliers de microfaisceaux. Après développement et gravure, le masque est mesuré, inspecté pour détecter les défauts, réparé si possible, puis équipé d'une pellicule.
Les scanners projettent le masque à travers une optique de réduction : les motifs du masque sont quatre fois plus grands que sur la plaquette, ce qui les rend plus faciles à écrire et réduit d'autant les petites erreurs du masque sur la plaquette. Une exposition couvre sur la plaquette un champ d'environ 26 mm sur 33 mm, soit environ 858 mm². Cette limite du réticule plafonne la taille d'une puce unique : c'est pourquoi les très gros processeurs s'en approchent et pourquoi les systèmes plus grands recourent aux chiplets. Les interposeurs en silicium plus grands qu'un champ sont réalisés en raccordant (stitching) le câblage entre expositions adjacentes. Les champs de l'EUV à haute NA font la moitié de la taille standard.
Un masque binaire bloque simplement la lumière avec du chrome. Un masque à décalage de phase atténué utilise un film de MoSi partiellement transmissif qui décale aussi la phase de la lumière de 180 degrés, ce qui rend l'image plus nette aux bords des motifs. Comme la lumière EUV à 13,5 nm est absorbée par presque tous les matériaux, les masques EUV sont réfléchissants : un empilement multicouche de molybdène et de silicium joue le rôle de miroir, et un absorbant gravé au-dessus définit les zones sombres. Les masques vierges EUV doivent être pratiquement exempts de défauts, car un défaut enfoui dans le multicouche ne peut pas être éliminé par la suite.
Tout défaut d'un masque s'imprime dans chaque champ de chaque plaquette exposée avec lui, et apparaît sur les cartes de plaquette comme une défaillance à la même position dans chaque champ (shot). Une pellicule, membrane transparente de moins de 1 µm d'épaisseur tendue sur un cadre à environ 6 mm au-dessus de la surface gravée, maintient les particules hors du plan focal : elles sont floues et ne s'impriment pas. Les pellicules EUV ne doivent mesurer que quelques dizaines de nanomètres d'épaisseur, en matériaux comme le polysilicium ou les nanotubes de carbone, pour transmettre environ 90 % de la lumière et supporter l'échauffement.
Réponse : C. Empêcher les particules de se déposer directement sur le masque ; si elles se déposent sur la pellicule, elles sont hors foyer et peu transférées
Une particule déposée sur le masque serait transférée comme défaut dans tous les champs de tous les wafers exposés avec ce masque. La pellicule est un film transparent de moins de 1 µm d'épaisseur, tendu sur un cadre à environ 6 mm du masque ; les particules se déposant sur la pellicule sont hors foyer, donc floues, et peu transférées sur le wafer. Pour l'EUV, on développe des films ultraminces de quelques dizaines de nm (polysilicium, nanotubes de carbone, etc.), transmettant environ 90 % de la lumière EUV et résistant aux hautes températures.
Historiquement, un photomasque portait le motif d'une plaquette entière à l'échelle 1:1, tandis qu'un réticule portait une ou quelques puces pour un photorépéteur (stepper) qui le répète sur toute la plaquette. Aujourd'hui, les deux termes sont employés de manière presque interchangeable pour la plaque maîtresse utilisée dans les scanners.
Les scanners utilisent une optique de projection à réduction 4x. Des motifs plus grands sont plus faciles à écrire et à inspecter sur le masque, et les erreurs de dimensions du masque sont réduites du même facteur à l'impression.
C'est une fine membrane transparente montée quelques millimètres au-dessus du motif du masque. Les particules qui s'y déposent sont hors foyer pendant l'exposition et ne s'impriment donc pas sur la plaquette.
On y écrit le motif par faisceau d'électrons, puis on grave pour obtenir le photomasque.
Comment appelle-t-on le matériau utilisé pour fabriquer les…Cette taille constitue la limite indicative de la taille maximale d'une puce (limite du réticule), et les grands GPU l'utilisent presque entièrement.
Pour un scanner actuel, quelle est la taille généralement m…La répartition des défauts présente des signatures caractéristiques selon la cause : des puces défectueuses concentrées en périphérie évoquent l'uniformité du dépôt ou de la gravure, une répétition à la même position un défaut de réticule, un alignement en ligne une rayure ou un incident de transport.
Quel est l'objectif principal de l'analyse de la carte de w…Le champ d'une exposition (taille du réticule) est limité à environ 26 mm × 33 mm (environ 858 mm²).
Quelle méthode est utilisée pour fabriquer un interposeur s…GPU Pellicule Scanner Ouverture numérique (NA) RIE (gravure ionique réactive) Découpe (dicing) Interposeur silicium HBM Couche antireflet (BARC) EUV High-NA