Quel est le facteur de réduction généralement utilisé par les équipements de lithographie actuels (scanners) pour projeter le motif du masque sur le wafer ?

Réponse : B. 1/4

Les équipements de lithographie actuels projettent généralement le motif du masque sur le wafer avec une réduction de 1/4. Les motifs du masque pouvant être 4 fois plus grands que sur le wafer, le masque est plus facile à fabriquer, et les petits défauts et erreurs dimensionnelles du masque sont réduits d'un facteur 4, ce qui limite leur impact. Le masque standard est une plaque de quartz de 6 pouces de côté (152 mm), qui contient un champ de 26×33 mm agrandi 4 fois. En High-NA EUV, on combine des réductions de 1/4 et 1/8 selon la direction.