Jonction PN et diodes
Dans une jonction PN dont le côté p est beaucoup plus dopé que le côté n (jonction p+n), comment s'étend la zone de déplétion ?
- AElle s'étend largement du côté n, faiblement dopé
- BElle s'étend largement du côté p, fortement dopé
- CElle s'étend toujours également des côtés p et n
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Réponse : A. Elle s'étend largement du côté n, faiblement dopé
De part et d'autre de la zone de déplétion, les quantités de charge des impuretés ionisées sont égales (NA·xp = ND·xn). Le côté faiblement dopé doit se dépléter sur une plus grande étendue pour fournir la même charge : dans une jonction p+n, la zone de déplétion s'étend presque entièrement du côté n. La tenue en tension et la capacité sont donc fixées essentiellement par le dopage du côté faiblement dopé, et le calcul peut être approché en ne considérant qu'un côté (jonction abrupte dissymétrique). Les couches de dérive faiblement dopées des composants de puissance exploitent cette propriété pour supporter des tensions élevées.