Lithographie
Quelle caractéristique du « High-NA EUV », développé comme équipement de lithographie EUV de nouvelle génération, est correcte ?
- AL'ouverture numérique de l'optique de projection passe de 0,33 à 0,55, ce qui améliore la résolution
- BLa longueur d'onde d'exposition est allongée à 193 nm
- CL'exposition se fait sans masque
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Réponse : A. L'ouverture numérique de l'optique de projection passe de 0,33 à 0,55, ce qui améliore la résolution
L'ouverture numérique des équipements EUV classiques est de 0,33 ; le High-NA EUV la porte à 0,55, améliorant la résolution d'environ 1,7 fois et permettant d'exposer en une fois des motifs au pas de l'ordre de 20 nm bas. La longueur d'onde reste de 13,5 nm. En contrepartie, la profondeur de champ diminue, et le facteur de réduction différant selon la direction, la zone exposable (champ) est réduite de moitié. Développé par ASML, il coûterait de l'ordre de 50 milliards de yens l'unité.