Qu'est-ce que MBE (épitaxie par jets moléculaires) ?

Réponse : B. Elle fournit les matériaux au substrat sous forme de jets moléculaires dans un ultravide, ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur et de la composition à l'échelle de la couche atomique

La MBE fait croître des cristaux en chauffant les matériaux sources dans une enceinte sous ultravide d'environ 10⁻⁸ Pa et en les projetant sur le substrat sous forme de jets de molécules (ou d'atomes). L'ouverture et la fermeture de caches permettent de commuter instantanément les sources, et l'épaisseur et la composition se contrôlent couche atomique par couche atomique tout en observant la croissance in situ par RHEED. La vitesse de croissance, d'environ 1 µm par heure, est lente et la productivité inférieure à la MOCVD, mais la MBE sert en R&D, pour les HEMT hautes performances et les dispositifs quantiques.

Réponse : B. RHEED (diffraction d'électrons de haute énergie en réflexion)

La RHEED dirige sur la surface en croissance un faisceau d'électrons de 10 à 30 keV sous incidence rasante d'environ 1 à 3° et observe le diagramme de diffraction sur un écran fluorescent. Elle renseigne sur la planéité et les reconstructions de surface ; comme la rugosité varie périodiquement à chaque couche atomique déposée, l'intensité oscille, ce qui permet de compter in situ le nombre de couches. C'est une méthode propre à la MBE sous ultravide, où les électrons ne sont pas diffusés par les molécules de gaz.