Croissance épitaxiale
Quelle est la caractéristique de la MBE (épitaxie par jets moléculaires) ?
- AElle fait croître rapidement des couches épaisses à pression atmosphérique
- BElle fournit les matériaux au substrat sous forme de jets moléculaires dans un ultravide, ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur et de la composition à l'échelle de la couche atomique
- CElle fait croître la couche en immergeant la plaquette dans un précurseur liquide
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Réponse : B. Elle fournit les matériaux au substrat sous forme de jets moléculaires dans un ultravide, ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur et de la composition à l'échelle de la couche atomique
La MBE fait croître des cristaux en chauffant les matériaux sources dans une enceinte sous ultravide d'environ 10⁻⁸ Pa et en les projetant sur le substrat sous forme de jets de molécules (ou d'atomes). L'ouverture et la fermeture de caches permettent de commuter instantanément les sources, et l'épaisseur et la composition se contrôlent couche atomique par couche atomique tout en observant la croissance in situ par RHEED. La vitesse de croissance, d'environ 1 µm par heure, est lente et la productivité inférieure à la MOCVD, mais la MBE sert en R&D, pour les HEMT hautes performances et les dispositifs quantiques.