Quelle technique de MBE observe in situ la croissance en dirigeant un faisceau d'électrons sous incidence rasante sur la surface et en analysant le diagramme de diffraction ?

Réponse : B. RHEED (diffraction d'électrons de haute énergie en réflexion)

La RHEED dirige sur la surface en croissance un faisceau d'électrons de 10 à 30 keV sous incidence rasante d'environ 1 à 3° et observe le diagramme de diffraction sur un écran fluorescent. Elle renseigne sur la planéité et les reconstructions de surface ; comme la rugosité varie périodiquement à chaque couche atomique déposée, l'intensité oscille, ce qui permet de compter in situ le nombre de couches. C'est une méthode propre à la MBE sous ultravide, où les électrons ne sont pas diffusés par les molécules de gaz.