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Croissance épitaxiale

Quelle méthode fait croître un cristal sur un substrat par précipitation à partir d'une solution métallique fondue ou analogue ?

  1. AÉpitaxie en phase liquide (LPE)
  2. BÉpitaxie par jets moléculaires (MBE)
  3. CÉpitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD)
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Réponse : A. Épitaxie en phase liquide (LPE)

L'épitaxie en phase liquide met en contact le substrat avec une solution métallique (gallium dans le cas du GaAs) contenant le matériau à faire croître, puis abaisse la température pour faire précipiter sous forme cristalline la fraction sursaturée. La croissance se faisant près de l'équilibre thermique, la cristallinité est bonne ; l'équipement simple et la croissance rapide l'ont rendue autrefois très répandue pour les LED rouges et infrarouges et les premiers lasers à semi-conducteurs. Pour les couches minces et les interfaces abruptes, la MOCVD et la MBE sont plus performantes.

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