Was ist MBE (Molekularstrahlepitaxie)?

Epitaktisches Wachstum im Ultrahochvakuum, bei dem Ausgangsstoffe als Molekularstrahlen zum Substrat geführt werden. Sie steuert Dicke und Zusammensetzung auf Atomlagenebene und dient in der Verbindungshalbleiterforschung und für Quantenstrukturen.

Japanische Bezeichnung: MBE(分子線エピタキシー)

Fachgebiet: Epitaktisches Wachstum

Verwandte Begriffe

4H-SiC Autodotierung Durchstoßversetzung (Threading Dislocation) Epitaxie (epitaktisches Wachstum) Fehlpassungsversetzung (Misfit Dislocation) Gitterfehlanpassung Heteroepitaxie HVPE (Hydrid-Gasphasenepitaxie) Kritische Schichtdicke Laterales epitaktisches Überwachsen (ELO)

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