Quelle description de l'IGBT est correcte ?

Réponse : B. Un composant commandé par une grille MOS, qui obtient une faible tension à l'état passant grâce à la modulation de conductivité du fonctionnement bipolaire

L'IGBT associe l'étage d'entrée d'un MOSFET et l'étage de sortie d'un transistor bipolaire ; sa structure ajoute une couche p+ côté drain. Commandé en tension, il simplifie le circuit de commande ; à l'état passant, les trous injectés depuis la couche p+ abaissent fortement la résistance de la couche de dérive (modulation de conductivité), ce qui permet une faible tension à l'état passant même pour des tenues en tension élevées de 600 V à 6,5 kV. C'est le composant principal des VE, du ferroviaire et des onduleurs industriels, mais son courant de traînée le rend peu adapté aux hautes fréquences.